PI-SWIR/NIR-II成像

SWIR/NIR-II成像

近红外（NIR）和短波红外（SWIR）荧光在医学和生物学研究中应用广泛，因为NIR中的波长可以穿透软组织，从而产生高分辨率的体内结构图像。

第二个NIR窗口（NIR-II，900 – 1700 nm）特别受关注，因为它能够更深地穿透软组织，从而减少散射并减少自发荧光。 该窗口还利用了水透明窗口，该波长范围内的吸水率可以忽略不计（800 – 1400 nm）。

NIR-II成像依赖于发射NIR-II的荧光团，传统的基于硅的传感器无法检测到这些荧光团。 硅传感器内的带隙意味着吸收光子所需的能量最少。 NIR-II光子的能量（或1100 nm以上的能量）太低而无法产生该能量。 因此，需要InGaAs传感器。

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